神马文学网三星研发出采用新一代配套技术的D内存
来源：百度文库 编辑：神马文学网 时间：2024/07/08 12:15:36
三星电子23日表示，该公司在全世界率先研发出采用硅贯通电极(Through Silicon Via)芯片接入方式——WSP(Wafer-Level Processed Stack Package)技术的D内存芯片和模块。
此次研发的产品是重叠4个512Mb DDR2 D内存的2Gb大容量D内存多重芯片和4GB模块。三星电子表示，WSP技术与此前的多重芯片封装存储器(MCP，Multi Chip Package)相比，配套规格变小，但容量、速度和耗电等功能大幅得到改善，是尖端复合芯片技术的结晶。
三星电子表示，WSP是通过垂直贯通芯片的孔，使芯片间进行直接接触的配套形式，芯片之间没有间隔或连接电线的空间，所以可以减少配套规格的大小，并提高性能。
三星电子继去年4月在世界上首次将该技术应用于NAND型闪存之后，此次又将该技术应用于D内存，相比于采用原先技术的D内存，面积和厚度分别减少了15%和50%以上。
此次研发的产品是重叠4个512Mb DDR2 D内存的2Gb大容量D内存多重芯片和4GB模块。三星电子表示，WSP技术与此前的多重芯片封装存储器(MCP，Multi Chip Package)相比，配套规格变小，但容量、速度和耗电等功能大幅得到改善，是尖端复合芯片技术的结晶。
三星电子表示，WSP是通过垂直贯通芯片的孔，使芯片间进行直接接触的配套形式，芯片之间没有间隔或连接电线的空间，所以可以减少配套规格的大小，并提高性能。
三星电子继去年4月在世界上首次将该技术应用于NAND型闪存之后，此次又将该技术应用于D内存，相比于采用原先技术的D内存，面积和厚度分别减少了15%和50%以上。
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