神马文学网Avant! 微电子EE笔试题
来源：百度文库 编辑：神马文学网 时间：2024/06/13 03:06:22
1．名词解释：VLSI，CMOS，EDA，VHDL，Verilog，HDL，ROM，RAM，DRC，LVS。
2．简述CMOS工艺流程。
3．画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。
4．画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5．简述ESD和latch-up的含义。
6．简述三极管与MOS管的区别。
7．简述MOORE模型和MEALY模型。
8．简述堆栈与队列的区别。
奇码数字信息有限公司笔试题
1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
2．简述CMOS工艺流程。
3．画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。
4．画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5．简述ESD和latch-up的含义。
6．简述三极管与MOS管的区别。
7．简述MOORE模型和MEALY模型。
8．简述堆栈与队列的区别。
奇码数字信息有限公司笔试题
1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。