cmos与内存设置 - 电脑维修信息网-百故电脑故障查询2

来源：百度文库编辑：神马文学网时间：2024/05/24 07:37:04

来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期
自动复位为0。
Memory
Relocation：内存重新定位。即将384的上位内存（Upper Memory
Block）数据转储到1MB以上的扩展内存中。
Memory
Hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。
DRMA Timing
Setting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。
Fast MA to RAS Delay：设置内存地址（Memory
Address）到内存行地址触发信号（RAS）之间的延迟时间。
DRAM Write Brust Timing：CPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。
Fast RAS To CAS
Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。
DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存前的时间。
DRAM Speculative
Read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。
DRAM Data Integrity
Mode：选择内存校验方式是Parity或ECC。
Refres RAS
Assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。
RAS Recharge Period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。
Fast EDO Pat
Select：设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。
SDRAM RAS Latency：设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。
SDRAM RAS Timing：设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。
Peer Concurrency：为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。

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